Toshiba представила самые миниатюрные в отрасли флеш-модули e-MMC
Корпорация Toshiba представила новое семейство встраиваемых модулей флеш-памяти e-MMC NAND, выполненных по передовой 15-нанометровой технологии.
Новые изделия имеют упаковку 153Ball FBGA. Их размеры в зависимости от модификации составляют 11,5 × 13,0 или 11,0 × 10,0 мм. По сравнению с решениями Toshiba e-MMC предыдущего поколения (19 нанометров) габариты уменьшились на 26 %: производитель называет новые модули самыми компактными в своём классе.
Вместимость модулей может составлять 8, 16, 32, 64 и 128 Гбайт. В состав изделий входит контроллер, обеспечивающий базовую функциональность. Отмечается, что благодаря переходу на более «тонкий» техпроцесс и оптимизации контроллера скорость чтения возросла на 8 %, а скорость записи - на 20 % (максимум).
Модули соответствуют стандарту JEDEC e-MMC V5.0. Они рассчитаны на работу при температурах от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Напряжение питания составляет 2,7-3,6 В.
Toshiba уже начала пробные поставки модулей на 16 Гбайт. Позднее начнутся отгрузки изделий ёмкостью 8, 32, 64 и 128 Гбайт. Массовое производство намечено на первый-второй кварталы 2015 года. Память e-MMC NAND найдёт применение в смартфонах, планшетах, носимых гаджетах и других устройствах.
Новые изделия имеют упаковку 153Ball FBGA. Их размеры в зависимости от модификации составляют 11,5 × 13,0 или 11,0 × 10,0 мм. По сравнению с решениями Toshiba e-MMC предыдущего поколения (19 нанометров) габариты уменьшились на 26 %: производитель называет новые модули самыми компактными в своём классе.
Вместимость модулей может составлять 8, 16, 32, 64 и 128 Гбайт. В состав изделий входит контроллер, обеспечивающий базовую функциональность. Отмечается, что благодаря переходу на более «тонкий» техпроцесс и оптимизации контроллера скорость чтения возросла на 8 %, а скорость записи - на 20 % (максимум).
Модули соответствуют стандарту JEDEC e-MMC V5.0. Они рассчитаны на работу при температурах от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Напряжение питания составляет 2,7-3,6 В.
Toshiba уже начала пробные поставки модулей на 16 Гбайт. Позднее начнутся отгрузки изделий ёмкостью 8, 32, 64 и 128 Гбайт. Массовое производство намечено на первый-второй кварталы 2015 года. Память e-MMC NAND найдёт применение в смартфонах, планшетах, носимых гаджетах и других устройствах.