Intel рассказал о памяти в 1000 раз быстрее флеша
Оригинал взят у trim_c
Корпорация Intel представила новый класс памяти под брендом Optane, передает
корреспондент «Ленты.ру» с конференции IDF 2015 в Сан-Франциско.
По словам гендиректора корпорации Брайана Кржанича, разработка способна обрабатывать данные в 1000 раз быстрее, чем флеш-память (NAND).
3D XPoint - совместная разработка Intel и Micron - представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от преобладающей сегодня NAND Flash-памяти. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулем и единицей. Благодаря тому, что ячейка не содержит транзистора, плотность хранения данных в памяти нового типа в 10 раз превышает соответствующий показатель NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников (отсюда название XPoint, которое произносится как cross-point). Ячейки в кристалле памяти расположены в несколько слоев (в текущем варианте только два), потому в имени технологии присутствует аббревиатура 3D.
В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM.
В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора - карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.
Кроме того, реальная демонстрация в рамках выступления Кржанича показала, что скорость прототипа в семь раз выше, чем у самого быстрого SSD-накопителя Intel P3700.
Ожидается, что технология появится на рынке в рамках новой линейки высокоскоростных и высоконадежных твердотельных накопителей Intel SSD в 2016 году. При этом компания планирует поставлять и модули оперативной памяти на основе Optane, которые будут использоваться для серверов.
Помимо устройств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.
Корпорация Intel представила новый класс памяти под брендом Optane, передает
корреспондент «Ленты.ру» с конференции IDF 2015 в Сан-Франциско.
По словам гендиректора корпорации Брайана Кржанича, разработка способна обрабатывать данные в 1000 раз быстрее, чем флеш-память (NAND).
3D XPoint - совместная разработка Intel и Micron - представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от преобладающей сегодня NAND Flash-памяти. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулем и единицей. Благодаря тому, что ячейка не содержит транзистора, плотность хранения данных в памяти нового типа в 10 раз превышает соответствующий показатель NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников (отсюда название XPoint, которое произносится как cross-point). Ячейки в кристалле памяти расположены в несколько слоев (в текущем варианте только два), потому в имени технологии присутствует аббревиатура 3D.
В теории память 3D XPoint может достигнуть в 1000 раз большей пропускной способности по сравнению с NAND Flash. Это все ещё меньше, чем то, на что способна память DDR4 SDRAM, но вполне приемлемо для того, чтобы использовать 3D XPoint в модулях оперативной памяти. Модули DIMM на основе 3D XPoint обеспечат больший объём и низкие цены относительно DDR4 DIMM.
В 2016 году Intel представит широкую линейку устройств на базе памяти нового типа под торговой маркой Optane. Это будут SSD для шины PCIe различного форм-фактора - карты расширения, 2,5-дюймовые накопители с разъемом U.2, компактные планки для ноутбуков (M.2). Чипы памяти будет производить компания Micron по норме 20 нм.
Кроме того, реальная демонстрация в рамках выступления Кржанича показала, что скорость прототипа в семь раз выше, чем у самого быстрого SSD-накопителя Intel P3700.
Ожидается, что технология появится на рынке в рамках новой линейки высокоскоростных и высоконадежных твердотельных накопителей Intel SSD в 2016 году. При этом компания планирует поставлять и модули оперативной памяти на основе Optane, которые будут использоваться для серверов.
Помимо устройств ПЗУ, в линейку Optane войдут модули DIMM для серверов на платформе Xeon. Последние будут полностью совместимы с интерфейсом DDR4 SDRAM вплоть до того, что планки обоих типов можно будет совместно использовать в одной системе.