Согласно результатам, полученным учеными из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах.
Говорить о масштабном производстве пока рано. «На данный момент мы занимаемся только
(
Read more... )